双片器件结合集成式肖特基二极管提高功率密度和效率

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#111723#双片器件联合集成式肖特基二极管进步功率密度和效力，所需PCB空间比6 mm x 5 mm封装增加65 ％。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2020年7月9日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc．发布，推出新款30 V n沟道MOSFET半桥功率级模块－－－SiZF300DT，将高边TrenchFET?和低边SkyFET?MOSFET与集成式肖特基二极管组合在一个小型PowerPAIR? 3．3 mm x 3．3 mm封装中。Vishay Siliconix SiZF300DT进步了功率密度和效力，同时有助于增加元器件数目，简化计划，实用于盘算和通讯利用功率转换。

日前宣布器件中的两个MOSFET采取半桥设置外部衔接。 通道1 MOSFET在10 V和4．5 V前提下，最大导通电阻分辨为4．5 mW和7．0 mW。通道2 MOSFET在10 V和4．5 V前提下，导通电阻分辨为1．84 mW和2．57 mW。两个MOSFET典范栅极电荷分辨为6．9 nC和19．4 nC。
SiZF300DT比6mm x 5mm封装相似导通电阻的双片器件节俭65 ％的空间，是市场上最紧凑的集成产物之一。器件为计划职员供给节俭空间的处理计划，实用于图形减速卡、盘算机、效劳器以及通讯和RF收集装备的负载点（POL）转换、电源以及同步降压和DC ／ DC转换器。
双MOSFET采取奇特的引脚设置构造，电流相位输出电流比雷同占位面积的同类产物高11 ％，另外，输出电流超越20 A时存在更高的效力。器件引脚设置和大PGND 焊盘还能够加强散热，优化电路，简化PCB规划。
SiZF300DT 经由100 ％ Rg和UIS测试，合乎RoHS请求尺度，无卤素。
新款双MOSFET模块现可供给样品并已实现量产，大批定货供货周期为12周。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology， Inc． 是在纽约证券买卖所上市（VSH）的“财产1000 强企业”，是寰球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制作商之一。这些元器件可用于产业、盘算、汽车、花费、通讯、国防、航空航天、电源及医疗市场中几近全部范例的电子装备和设备。凭仗产物翻新、胜利的收购策略，以及“一站式”效劳使Vishay成为了寰球业界当先者。   义务编纂:pj
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